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專業(yè)學位論文提綱
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市場營銷專業(yè)論文提綱范文【1】
一、論文題目
淺析創(chuàng)新營銷之博客營銷
二、論題觀點來源：
隨著網(wǎng)絡的發(fā)達，更多的新事物源源不斷地涌現(xiàn)出來。網(wǎng)絡和電子商務的出現(xiàn)徹底改變了原有的市場營銷理論和實務存在的基礎�；A變了，環(huán)境變了，市場變了，隨之而來的營銷和管理模式也將發(fā)生根本的改變。透過寫博客的形式，介紹銷售人自己和銷售產(chǎn)品，達到交商友和產(chǎn)品銷售的人也逐日增多。由此產(chǎn)生了新的創(chuàng)新營銷--博客營銷。
三、基本觀點：
1、什么是博客營銷，博客營銷不等于營銷博客
2、博客營銷的現(xiàn)狀及發(fā)展
3、博客營銷的基本特征
4、理解博客營銷帶給企業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)
5、博客營銷對網(wǎng)絡營銷的挑戰(zhàn)及對策(存在的不足)
四、論文結構：
(一)引言
介紹博客營銷的現(xiàn)狀、特征、發(fā)展前景并提出問題。
對博客營銷進行淺析，解決問題。
1、什么是博客營銷，博客營銷不等同于營銷博客
(1) 什么是博客營銷
(2) 理解博客營銷不等同于營銷博客
2、博客營銷的現(xiàn)狀及發(fā)展
(1) 博客營銷的現(xiàn)狀
(2) 博客營銷的發(fā)展前景
3. 博客營銷的基本特征
(1) 博客營銷以博客的個人和觀點為基礎
(2) 企業(yè)的博客營銷思想有必要與企業(yè)網(wǎng)站內(nèi)部策略相結合
(3) 合適的博客環(huán)境是博客營銷良性發(fā)展的必要條件
(4) 博客營銷應正確處理個人觀點與企業(yè)立場的關系問題
4、理解博客營銷帶給企業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)
5、博客營銷對網(wǎng)絡營銷的挑戰(zhàn)及對策(存在的不足)
(三)結論：博客營銷是創(chuàng)新營銷下的新模式，它是網(wǎng)絡時代下創(chuàng)新營銷的產(chǎn)物。
參考文獻：
1.《把企業(yè)搬到博客上》 常青編 清華大學出版社 2007.02
2.《博客營銷》 美.萊特 中國財經(jīng)出版社 2007.01
3.《網(wǎng)絡營銷學》 美.艾露斯.庫佩 上海人民出版社
物理博士學位論文提綱范文【2】
摘要 5-7
Abstract 7-8
目錄 9-12
第1章 緒論 12-26
1.1 半導體激光器的研究進展 12-21
1.1.1 高功率半導體激光器 12-15
1.1.2 高效率半導體激光器 15
1.1.3 高可靠性半導體激光器 15-16
1.1.4 高光束質量半導體激光器 16-18
1.1.5 窄線寬半導體激光器 18-21
1.2 單縱模半導體激光器的研究進展 21-23
1.2.1 國外單縱模半導體激光器的研究進展 22-23
1.2.2 國內(nèi)單縱模半導體激光器的研究進展 23
1.3 本文的研究目的與內(nèi)容 23-26
第2章 高階光柵單縱模半導體激光器理論設計與分析 26-46
2.1 半導體激光器的基本特性 26-29
2.1.1 半導體的輻射躍遷 26-27
2.1.2 半導體激光器的增益與閾值條件 27-29
2.2 半導體激光器的輸出功率與轉換效率 29-31
2.2.1 半導體激光器的輸出功率 29-30
2.2.2 半導體激光器的轉化效率 30-31
2.3 半導體激光器的縱模與光譜特性 31-32
2.4 高階布拉格光柵波導的理論模型 32-38
2.4.1 分布反饋(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33
2.4.2 散射理論 33-36
2.4.3 傳輸矩陣理論模型 36-38
2.5 高階布拉格光柵波導的光學特性分析 38-42
2.5.1 傳輸矩陣分析 38-40
2.5.2 高階布拉格光柵的損耗光譜 40-42
2.6 單縱模激光器的空間相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理論計算方法 43-45
2.7 本章小結 45-46
第3章 高階光柵單縱模半導體激光器制備 46-68
3.1 外延生長技術 46-47
3.2 光刻技術 47-52
3.3 刻蝕技術 52-61
3.3.1 干法刻蝕 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蝕工藝探索 55-59
3.3.3 濕法腐蝕 59-61
3.4 薄膜生長技術 61-65
3.4.1 電絕緣膜生長技術 62
3.4.2 金屬電極生長技術 62-64
3.4.3 光學薄膜生長技術 64-65
3.5 高階光柵半導體激光器的制備 65-66
3.6 本章小結 66-68
第4章 高階光柵分布布拉格反射半導體激光器 68-94
4.1 高階光柵單縱模分布布拉格反射半導體激光器 68-81
4.1.1 器件結構設計 68-76
4.1.2 器件制備 76-77
4.1.3 器件測量結果 77-81
4.2 雙波長高階光柵分布布拉格發(fā)射激光器 81-86
4.2.1 器件設計 81-83
4.2.2 器件制備 83-84
4.2.3 器件測量結果 84-86
4.3 高階光柵耦合半導體激光器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光譜分析技術原理 87-88
4.3.2 測試結果與分析 88-92
4.4 本章小結 92-94
第5章 高階光柵單縱模分布反饋半導體激光器 94-100
5.1 器件制備 94-96
5.2 器件測量結果 96-99
5.3 本章小結 99-100
第6章 單縱模半導體激光器件空間相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL單管器件空間相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理論 101-103
6.1.2 測試結果 103-107
6.2 VCSEL列陣器件的空間相干特性研究 107-114
6.2.1 器件設計 107-110
6.2.2 器件制備 110
6.2.3 測試結果 110-114
6.3 本章小結 114-116
第7章 總結與展望 116-118
參考文獻 118-132
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